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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FJP3307DH1TU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| FJP3307DH2 | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| FJP3307DH2TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| FJP3307DTU | FAIRCHILD |
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High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL |
|
| FJP3307DTU | ONSEMI |
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高电压快速开关 NPN 功率晶体管 |
|
| FJP3835 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Amplifier |
|
| FJP3835TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| FJP5021 | FAIRCHILD |
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High Voltage and High Reliability |
|
| FJP5021O | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FJP5021OTU | ROCHESTER |
获取价格 |
5A, 500V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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