Datasheet > FGPF120N30

FGPF120N30

更新时间： 2024-11-02 02:52:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	882K
描述
300V, 120A PDP IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FGPF120N30 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	120 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	410 ns
标称接通时间 (ton)：	175 ns	Base Number Matches：	1

FGPF120N30 数据手册

January 2006

FGPF120N30

300V, 120A PDP IGBT

Features

General Description

•

High Current Capability

Low saturation voltage : V_CE(sat)= 1.1 V @ I_C= 25A

High input impedance

Employing Unified IGBT Technology, Fairchild's PWD series of

IGBTs provides low conduction and switching loss. The PWD

series offers the optimum solution for PDP applications where

low condution loss is essential.

Fast switching

Application

PDP SYSTEM

TO-220F

1.Gate 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Description

FGPF120N30

300

Units

V_CES

V_GES

I_C

I_{C_pulse (1)}

P_D

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

Collector Current

± 20

120

@ T_C

@ T_C25°C

25°C

Pulse Collector Current

25°C

180 *

Maximum Power Dissipation

°C

Maximum Power Dissipation

@ T_C= 100°C

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

-55 to +150

T_stg

Maximum Lead Temp. for soldering

Purposes, 1/8” from case for 5 seconds

T_L

300

°C

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

2.1

Units

°C/W

R_θJC(IGBT)

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Notes

(1) Repetitive test , pulse width=100usec , Duty=0.5

* Ic_pulse limited by max Tj

FGPF120N30 Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FGPF120N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FGPF120N30TU	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FRE
FGPF15N60UNDF	FAIRCHILD	获取价格	600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
FGPF15N60UNDF	ONSEMI	获取价格	600V，15A，短路额定IGBT
FGPF30N30	FAIRCHILD	获取价格	300V, 30A PDP IGBT
FGPF30N30D	FAIRCHILD	获取价格	300V, 30A PDP IGBT
FGPF30N30TDTU	ROCHESTER	获取价格	300V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN
FGPF30N45T	FAIRCHILD	获取价格	450V, 30A PDP Trench IGBT
FGPF30N45TTU	ROCHESTER	获取价格	450V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN
FGPF4533	FAIRCHILD	获取价格	330V, PDP IGBT
FGPF4533RDTU	FAIRCHILD	获取价格	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION