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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS6984S
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FDS6984S

更新时间： 2024-11-11 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 551K
描述
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

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FDS6984S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.29配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5 A
最大漏极电流 (ID)：8.5 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6984S 数据手册

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September 2000  
FDS6984S  
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrenchSyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6984S is designed to replace two single SO-8  
MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies that provide various peripheral voltages  
for notebook computers and other battery powered  
electronic devices. FDS6984S contains two unique  
30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs  
designed to maximize power conversion efficiency.  
•
Q2:  
Optimized to minimize conduction losses  
Includes SyncFET Schottky diode  
8.5A, 30V RDS(on) = 19 mΩ=@ VGS = 10V  
RDS(on) = 28 mΩ=@ VGS = 4.5V  
•
Q1:  
Optimized for low switching losses  
Low gate charge ( 5 nC typical)  
The high-side switch (Q1) is designed with specific  
emphasis on reducing switching losses while the low-  
side switch (Q2) is optimized to reduce conduction  
losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode  
using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.  
5.5A, 30V  
RDS(on) = 0.040Ω=@ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.055Ω=@ VGS = 4.5V  
D1  
D1  
5
6
7
8
4
D2  
Q1  
3
2
1
D2  
Q2  
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
Q2  
Q1  
Units  
V
V
A
30  
20  
8.5  
30  
30  
20  
5.5  
20  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
1
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6984S  
FDS6984S  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS6984S Rev C(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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