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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 1.52 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38.5 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF16N50T_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDPF16N50UT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM Ultra FRFET MOSFET |
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| FDPF16N50UT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，500 V，1 |
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| FDPF17N60NT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 17A, 0.34Ω |
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| FDPF17N60NT | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM II MOSFET 600V, 17A, 340mΩ |
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| FDPF18N20F | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 200V, 18A, 0.145ヘ |
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| FDPF18N20FT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14Ω |
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| FDPF18N20FT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，200 V，18 A，140 |
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| FDPF18N20FT_G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDPF18N20FT-G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，200V，18A，140mΩ |
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