Datasheet > FDN358PL99Z

FDN358PL99Z

更新时间： 2024-01-24 21:52:25

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	72K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDN358PL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN358PL99Z 数据手册

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min Typ Max Units

Off Characteristics

BV_DSS

Drain–Source Breakdown Voltage V_GS= 0 V, I_D= –250 mA

–30

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

DBVDSS

DT_J

I_D= –250 mA, Referenced to 25°C

–22

mV/°C

V_DS= –24V, V_GS= 0 V

–1

–10

100

–100

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS= –24V, V_GS= 0 V, T_J=55°C

I_GSSF

I_GSSR

Gate–Body Leakage, Forward

Gate–Body Leakage, Reverse

V_GS= 25 V,

V_DS= 0 V

V_GS= –25 V, V_DS= 0 V

On Characteristics

(Note 2)

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

Temperature Coefficient

V_DS= V_GS, I_D= –250 mA

–1

–5

–1.9

–3

DVGS(th)

DT_J

I_D= –250 mA, Referenced to 25°C

mV/°C

R_DS(on)

Static Drain–Source

On–Resistance

V_GS= –10 V,

V_GS= –10 V, I_D= –1.5 A,T_J=125°C

V_GS= –4.5 V, I_D= –1.2A,

V_GS= –4.5 V, V_DS= –5 V

I_D= –1.5 A

105

148

161

125

210

200

I_D(on)

g_FS

On–State Drain Current

Forward Transconductance

V_DS= –5 V,

I_D= –1.5 A

3.5

Dynamic Characteristics

Input Capacitance

182

iss

V_DS= –15 V,

f = 1.0 MHz

V _GS= 0 V,

C_oss

Output Capacitance

rss

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics (Note 2)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Turn–On Delay Time

Turn–On Rise Time

Turn–Off Delay Time

Turn–Off Fall Time

Total Gate Charge

Gate–Source Charge

Gate–Drain Charge

V_DD= –15 V,

V_GS= –10 V,

I_D= –0.5 A,

R_GEN= 6 W

Q_g

V_DS= –15V,

V_GS= –10 V

I_D= –1.5 A,

2.8

Q_gs

Q_gd

0.8

Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

I_S

Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current

–0.42

Drain–Source Diode Forward

V_SD

V_GS= 0 V, I_S= –0.42 A (Note 2)

–0.76 –1.2

Voltage

Notes:

_qJAis the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of

the drain pins. R_qJCis guaranteed by design while R_qCAis determined by the user's board design.

b) 270°C/W when mounted on a

minimum pad.

a) 250°C/W when mounted on a

0.02 in pad of 2 oz. copper.

Scale 1 : 1 on letter size paper

2. Pulse Test: Pulse Width £ 300 ms, Duty Cycle £ 2.0%

FDN358P Rev E1 (W)

123 4 5

下载PDF

与FDN358PL99Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDN358PS62Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN359	FAIRCHILD	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	获取价格
FDN359AN	FAIRCHILD	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	获取价格
FDN359AN	TYSEMI	SuperSOT -3	获取价格
FDN359AN	ONSEMI	N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，2.7A，46mΩ	获取价格
FDN359AN	UMW	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时	获取价格

与FDN358PL99Z相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

12
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDN358PL99Z

FDN358PL99Z 技术参数

FDN358PL99Z 数据手册

与FDN358PL99Z相关器件

与FDN358PL99Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDN358PL99Z

FDN358PL99Z 技术参数

FDN358PL99Z 数据手册

与FDN358PL99Z相关器件

与FDN358PL99Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？