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FDN358PL99Z

更新时间： 2024-01-16 03:03:22

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	72K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN358PL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN358PL99Z 数据手册

Typical Characteristics

V_GS=-10V

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

-4.5V

-6.0V

V_GS=-4.0V

-3.5V

-4.5V

-5.0V

-3.0V

-6.0V

-7.0V

-10V

0.5

1.5

2.5

150

-V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

-I_D, DRAIN CURRENT (A)

Figure 1. On-Region Characteristics.

Figure 2. On-Resistance Variation with

Drain Current and Gate Voltage.

0.4

0.3

0.2

0.1

1.6

I_D= -1.5A

V_GS= -10V

I_D= -0.75A

1.4

1.2

T_A= 125^oC

T_A= 25^oC

0.8

0.6

-50

-25

100

125

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

-V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On-Resistance Variation with

Temperature.

Figure 4. On-Resistance Variation with

Gate-to-Source Voltage.

T_A= -55^oC

V_GS= 0V

V_DS= -5V

25^oC

125^oC

T_A= 125^oC

0.1

25^oC

0.01

-55^oC

0.001

0.0001

1.5

2.5

3.5

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

-V_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics.

Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature.

FDN358P Rev E1 (W)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN358PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN359	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN359AN	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN359AN	TYSEMI	获取价格	SuperSOT -3
FDN359AN	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，2.7A，46mΩ
FDN359AN	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN359AN_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN359AND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN359AN-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
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