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FDN358P PDF预览

FDN358P

更新时间： 2024-01-23 16:35:19
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
2页 207K
描述
SuperSOT-3

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FDN358P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN358P 数据手册

 浏览型号FDN358P的Datasheet PDF文件第1页 
Product specification  
FDN358P  
O
Electrical Characteristics (TA = 25 C unless otherwise noted )  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS = 0 V, ID = -250 µA  
-30  
V
ID = -250 µA, Referenced to 25 oC  
mV/ oC  
Breakdown Voltage Temp. Coefficient  
Zero Gate Voltage Drain Current  
-28  
DBVDSS/DTJ  
-1  
µA  
µA  
nA  
nA  
IDSS  
VDS = -24 V, VGS = 0 V  
-10  
TJ = 55°C  
IGSSF  
IGSSR  
Gate - Body Leakage, Forward  
Gate - Body Leakage, Reverse  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
VGS = -20 V, VDS = 0 V  
100  
-100  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
VDS = VGS, ID = -250 µA  
ID = -250 µA, Referenced to 25 oC  
-1  
-5  
-1.5  
3
-2  
V
mV/ oC  
Gate Threshold Voltage Temp. Coefficient  
DVGS(th)/DTJ  
RDS(ON)  
Static Drain-Source On-Resistance  
0.11  
0.15  
0.125  
0.21  
0.2  
VGS = -10 V, ID = -1.5 A  
W
TJ =125°C  
0.175  
VGS = -4.5 V, ID = -1.2 A  
VGS = -4.5 V, VDS = -5 V  
VDS = -10 V, ID = -1.5 A  
ID(ON)  
gFS  
On-State Drain Current  
A
S
Forward Transconductance  
7
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
VDS = -10 V, VGS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
270  
150  
45  
pF  
pF  
pF  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)  
Turn - On Delay Time  
Turn - On Rise Time  
Turn - Off Delay Time  
Turn - Off Fall Time  
Total Gate Charge  
8
7
16  
14  
ns  
ns  
tD(on)  
tr  
tD(off)  
tf  
VDD = -15 V, ID = -1 A,  
VGS = -10 V, RGEN = 6 W  
17  
10  
6.5  
1
27  
ns  
1.8  
9.1  
ns  
nC  
nC  
nC  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VDS = -5 V, ID = -1.5 A,  
VGS = -10 V  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
1.1  
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS  
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0 V, IS = -0.42 A (Note 2)  
-0.42  
-1.2  
A
V
IS  
VSD  
Note:  
-0.74  
1. RqJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. RqJC is guaranteed by  
design while RqCA is determined by the user's board design.  
Typical RqJA using the board layouts shown below on FR-4 PCB in a still air environment :  
b. 270oC/W when mounted on  
a 0.001 in2 pad of 2oz Cu.  
a. 250oC/W when mounted on  
0.02 in2 pad of 2oz Cu.  
a
Scale 1 : 1 on letter size paper  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%.  
http://www.twtysemi.com  
2 of 2  
4008-318-123  
12

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