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FDMS8670AS PDF预览

FDMS8670AS

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 217K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩

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FDMS8670AS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SON包装说明：ROHS COMPLIANT, MO-240AA, POWER 56, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：384 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：127 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8670AS 数据手册

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October 2007  
FDMS8670AS  
tm  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
30V, 42A, 3.0mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 3.0mΩ at VGS = 10V, ID = 23A  
„ Max rDS(on) = 4.7mΩ at VGS = 4.5V, ID = 18A  
The FDMS8670AS has been designed to minimize losses in  
power conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
„ Advanced Package and Silicon combination  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This  
device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky  
body diode.  
for low rDS(on) and high efficiency  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Notebook Vcore/ GPU low side switch  
„ Networking Point of Load low side switch  
„ Telecom secondary side rectification  
Pin 1  
D
S
S
S
G
G
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
S
S
S
D
D
D
D
Power 56 (Bottom view)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
V
V
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
42  
T
127  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
23  
-Pulsed  
200  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
384  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
50  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.6  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDMS8670AS  
FDMS8670AS  
Power 56  
13’’  
3000units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8670AS Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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FDMS8670AS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS7682 FAIRCHILD

类似代替

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 		N 沟道，PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，30V，42A，3.5
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