是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 29 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 59 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0063 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 33 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDMS7692A | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ | |
FDMS8670S | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel PowerTrench SyncFETTM | |
FDMS8670AS | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS7692 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 7.5 mΩ | |
FDMS7692 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,7.5mΩ | |
FDMS7692_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 7.5 mΩ | |
FDMS7692A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ | |
FDMS7692A | ONSEMI |
获取价格 |
30V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMS7694 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 9.5 mΩ | |
FDMS7694 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,9.5mΩ | |
FDMS7698 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET | |
FDMS7698 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,22A,10mΩ | |
FDMS7700S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET N-Channel: |