是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 1.03 |
配置: | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS8018 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 120 A, 1 | |
FDMS8018 | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMS8020 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 42 A, 2. | |
FDMS8020 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,131A,2.5mΩ | |
FDMS8023S | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDMS8023S | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® SyncFET™,30V,49A,2.4mΩ | |
FDMS8025S | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® SyncFETTM | |
FDMS8025S | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | |
FDMS8026S | ONSEMI |
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30V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | |
FDMS8027S | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30 V, 22 A, |