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FDG6301N PDF预览

FDG6301N

更新时间： 2024-09-17 11:13:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 218K
描述
双 N 沟道数字 FET 25V，0.22A，4Ω

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FDG6301N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SC-70, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.73
Samacsys Description：FDG6301N, MOSFET Transistor,其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：0.22 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDG6301N 数据手册

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Digital FET, Dual N-Channel  
FDG6301N  
General Description  
These dual N−Channel logic level enhancement mode field effect  
transistors are produced using ON Semiconductor’s proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on−state resistance. This device has  
been designed especially for low voltage applications as a replacement  
for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.  
www.onsemi.com  
G2  
G2  
D1  
Features  
D2  
G1  
S1  
• 25 V, 0.22 A Continuous, 0.65 A Peak  
♦ R  
♦ R  
= 4 W @ V = 4.5 V  
GS  
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
DS(ON)  
= 5 W @ V = 2.7 V  
DS(ON)  
GS  
• Very Low Level Gate Drive Requirements Allowing Direct  
Operation in 3 V Circuits (V < 1.5 V)  
MARKING DIAGRAM  
GS(th)  
• Gate−Source Zener for ESD Ruggedness (>6 kV Human Body  
Model)  
01M  
• Compact Industry Standard SC70−6 Surface Mount Package  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
01  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
FDG6301N  
Units  
PIN CONNECTIONS  
V
DSS  
V
GSS  
25  
8
V
V
A
Gate−Source Voltage  
1 or 4*  
6 or 3  
5 or 2  
I
D
Drain/Output Current  
Continuous  
Pulsed  
0.22  
0.65  
2 or 5  
3 or 6  
P
Maximum Power Dissipation (Note 1)  
0.3  
W
D
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
4 or 1*  
ESD  
Electrostatic Discharge Rating  
MIL−STD−883D  
Human Body Model (100 pF / 1500 W)  
6.0  
kV  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*The pinouts are symmetrical; pin 1 and 4 are  
interchangeable.  
Units inside the carrier can be of either orientation  
and will not affect the functionality of the device.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
May, 2021 − Rev. 7  
FDG6301N/D  
12345678

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FDG6301N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDG6303N ONSEMI

功能相似

 双N沟道数字FET
FDG6335N FAIRCHILD

功能相似

 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs

与FDG6301N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDG6301N (KDG6301N) KEXIN

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 		Dual N-Channel MOSFET
FDG6301N_09 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel, Digital FET
FDG6301N_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDG6301N-F085 ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω
FDG6301N-F085P ONSEMI

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 		双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω
FDG6301NL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDG6302 FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel, Digital FET
FDG6302P FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel, Digital FET
FDG6302P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDG6302PD87Z ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | TSOP

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