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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB5686 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
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| FDB5690 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDB5800 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| FDB5800 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，60V，80A，6mΩ |
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| FDB5800_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDB600 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB601 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB602 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB6021P | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDB6021PL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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