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FDB52N20 PDF预览

FDB52N20

更新时间： 2024-02-17 20:42:41
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 677K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FDB52N20 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.52
雪崩能效等级（Eas）：2520 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.049 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：208 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB52N20 数据手册

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September 2005  
TM  
UniFET  
FDB52N20  
200V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
52A, 200V, R  
= 0.049Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 49 nC)  
Low C ( typical 66 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
D
z
ꢀ ꢁ  
z
z
G {  
G
{
S
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDB52N20  
Unit  
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
200  
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
52  
33  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
208  
30  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2520  
52  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
35.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
357  
W
D
C
- Derate above 25°C  
2.86  
W/°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.35  
40  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
θJC  
*
θJA  
θJA  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB52N20 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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