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SML20S56

更新时间： 2024-09-24 22:42:59

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲高压高电压电源
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML20S56 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.045 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SML20S56 数据手册

SML20S56

D³PAK Package Outline.

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

4.98 (0.196)

5.08 (0.200)

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

13.41 (0.528)

13.51 (0.532)

15.95 (0.628)

16.05 (0.632)

1.47 (0.058)

1.57 (0.062)

1.04 (0.041)

1.15 (0.045)

11.51 (0.453)

11.61 (0.457)

POWER MOSFETS

13.79 (0.543)

13.99 (0.551)

0.46 (0.018)

0.56 (0.022)

3 plcs.

1.27 (0.050)

1.40 (0.055)

V_DSS

200V

56A

1.22 (0.048)

1.32 (0.052)

3.81 (0.150)

4.06 (0.160)

2.67 (0.105)

2.84 (0.112)

1.98 (0.078)

2.08 (0.082)

I_D(cont)

5.45 (0.215) BSC

2 plcs.

R_DS(on)0.045

• Faster Switching

• Lower Leakage

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Drain

Pin 3 – Source

• 100% Avalanche Tested

Heatsink is Drain.

• Surface Mount D³PAK Package

StarMOS is a new generation of high voltage

N–Channel enhancement mode power MOSFETs.

This new technology minimises the JFET effect,

increases packing density and reduces the

on-resistance. StarMOS also achieves faster

switching speeds through optimised gate layout.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain – Source Voltage

200

DSS

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

224

Gate – Source Voltage

±20

Gate – Source Voltage Transient

±30

GSM

Total Power Dissipation @ T

Derate Linearly

= 25°C

300

case

2.4

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.

–55 to 150

300

T , T

STG

°C

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Starting T = 25°C, L = 0.83mH, R = 25 , Peak I = 56A

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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SML20S56 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDB52N20TM	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，52A，69mΩ，D2PAK
APT20M45SVRG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB52N20TM	FAIRCHILD	功能相似	200V N-Channel MOSFET

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SML-210	ROHM	获取价格	Small, chip LEDs
SML2108	SUMMIT	获取价格	Laser Diode Adaptive Power Controller
SML2108F	SUMMIT	获取价格	Laser Diode Adaptive Power Controller
SML-210DT	ROHM	获取价格	Small, chip LEDs
SML-210DTT86	ROHM	获取价格	Nomal type and Low current type line-up.

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