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SML20S67 PDF预览

SML20S67

更新时间： 2024-01-09 06:41:17
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML20S67 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.46
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：67 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：268 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

SML20S67 数据手册

 浏览型号SML20S67的Datasheet PDF文件第2页 
SML20S67  
D3PAK Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
4.98 (0.196)  
5.08 (0.200)  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
13.41 (0.528)  
13.51 (0.532)  
15.95 (0.628)  
16.05 (0.632)  
1.47 (0.058)  
1.57 (0.062)  
1.04 (0.041)  
1.15 (0.045)  
11.51 (0.453)  
11.61 (0.457)  
POWER MOSFETS  
13.79 (0.543)  
13.99 (0.551)  
0.46 (0.018)  
0.56 (0.022)  
3 plcs.  
1
2
3
1.27 (0.050)  
1.40 (0.055)  
VDSS  
200V  
67A  
1.22 (0.048)  
1.32 (0.052)  
3.81 (0.150)  
4.06 (0.160)  
2.67 (0.105)  
2.84 (0.112)  
1.98 (0.078)  
2.08 (0.082)  
ID(cont)  
5.45 (0.215) BSC  
2 plcs.  
RDS(on) 0.038  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
• 100% Avalanche Tested  
Heatsink is Drain.  
• Surface Mount D3PAK Package  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
200  
67  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
268  
DM  
Gate – Source Voltage  
±20  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±30  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
370  
W
case  
P
D
2.96  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
67  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
1300  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 0.58mH, R = 25 , Peak I = 67A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
5/99  
12

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