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APT20M45SVRG

更新时间： 2024-09-25 21:11:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	95K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT20M45SVRG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
雪崩能效等级（Eas）：	1300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT20M45SVRG 数据手册

APT20M45SVR

200V 56A 0.045Ω

POWER MOS V^®

Power MOS V^®is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,

increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V^®

also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

D³PAK

• Faster Switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche Tested

• Surface Mount D³PAK Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT20M45SVR

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

200

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

224

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

Watts

300

P_D

2.4

W/°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

200

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

0.045

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

µA

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1.0mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

12 3 4

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APT20M45SVRG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT20M45SVFRG	MICROSEMI	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SML20S56	SEME-LAB	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
FDB52N20TM	FAIRCHILD	功能相似	200V N-Channel MOSFET

与APT20M45SVRG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT20M60BNFR	MICROSEMI	获取价格	50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT20M60BNR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-247AD
APT20M60BNR-BUTT	MICROSEMI	获取价格	50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT20M60BNR-GULLWING	MICROSEMI	获取价格	50A, 200V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN
APT20N60BC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT20N60BC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
APT20N60BCF	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20N60BCFG	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20N60SC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT20N60SC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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