APT22F100J

更新时间： 2024-09-25 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT22F100J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	2165 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT22F100J 数据手册

APT22F100J

1000V, 23A, 0.38Ω Max, t ≤300ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

-2

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

"UL Recognized"

file # E145592

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

ISOTOP^®

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

APT22F100J

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

for improved noise immunity

rss

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

140

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

2165

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

545

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.23

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

0.11

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

2500

1.03

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

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