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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 45 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 227 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 386 ns | 标称接通时间 (ton)： | 110 ns |
| VCEsat-Max： | 3.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT25GLQ120JCU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APT25GLQ120JCU2-Module | MICROCHIP |
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IGBT 4 fast Low voltage dropLow tail currentLow leakage currentKelvin emitter for easy dri |
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| APT25GN120B | MICROSEMI |
获取价格 |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies |
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| APT25GN120B | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT25GN120B2DQ2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT25GN120B2DQ2G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT25GN120B2DQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
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| APT25GN120BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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| APT25GN120BG | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
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| APT25GN120BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies |
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