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APT25GN120S

更新时间： 2024-09-25 08:33:19

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
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IGBT

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APT25GN120S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	67 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	560 ns
标称接通时间 (ton)：	39 ns	Base Number Matches：	1

APT25GN120S 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT25GN120B_S(G)

1200V

APT25GN120B

APT25GN120S

APT25GN120BG* APT25GN120SG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra

low V_CE(ON)and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum

conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and

a slightly positive V_CE(ON)temperature coefﬁcient. A built-in gate resistor ensures

extremely reliable operation, even in the event of a short circuit fault. Low gate charge

simpliﬁes gate drive design and minimizes losses.

(B)

D³PAK

(S)

• 1200V Field Stop

• Trench Gate: Low V_CE(on)

• Easy Paralleling

• Integrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability

Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

APT25GN120B(G)

UNIT

V_CES

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 1200V

272

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

1200

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 150µA)

V_GE(TH)

5.8

1.7

1.9

6.5

2.1

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

Volts

1.4

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

TBD

600

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

Integrated Gate Resistor

I_GES

R_G(int)

Ω

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5 6

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与APT25GN120S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT25GN120SE3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK, 3 PIN
APT25GN120SG	ADPOW	获取价格	IGBT
APT25GN120SG	MICROSEMI	获取价格	Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies
APT25GP120B	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT25GP120B2D1	MICROSEMI	获取价格	36A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3
APT25GP120BD1	ETC	获取价格	Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps\|Ultrafast IGBT Family
APT25GP120BDF1	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT25GP120BDQ1	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT25GP120BDQ1G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT25GP120BDQ1G	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT

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