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APT25GP120BDF1

更新时间： 2024-09-25 14:49:39

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美高森美 - MICROSEMI		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	196K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 69A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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APT25GP120BDF1 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	69 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	417 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

APT25GP120BDF1 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT25GP120BDF1

1200V

POWER MOS 7 IGBT

AnewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. Usingpunch-throughtechnology

and a proprietary metal gate, this IGBT has been optimized for very fast

switching, making it ideal for high frequency, high voltage switch-mode power

supplies and tail current sensitive applications. In many cases, the POWER

MOS 7^®IGBT provides a lower cost alternative to a Power MOSFET.

TO-247

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 11A

• 50 kHz operation @ 800V, 19A

• RBSOA Rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT25GP120BDF1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

RBSOA

P_D

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

90A @ 960V

417

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

4.5

3.3

3.0

Volts

3.9

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

500

3000

±100

µA

I_CES

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT25GP90BDQ1G	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
APT25GP90BG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
APT25GR120B	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules

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