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APT25GP120BDQ1

更新时间： 2024-09-25 03:21:35

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT25GP120BDQ1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	69 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	200 ns
标称接通时间 (ton)：	26 ns	Base Number Matches：	1

APT25GP120BDQ1 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT25GP120BDQ1(G)

1200V

APT25GP120BDQ1

APT25GP120BDQ1G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch

Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching

applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 800V, 11A

• 50 kHz operation @ 800V, 19A

• RBSOA Rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT25GP120BDQ1(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Gate-Emitter Voltage

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

I_CM

Reverse Bias Safe Operating Area @ T_J= 150°C

90A @ 960V

417

RBSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 350µA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

1200

4.5

3.3

3.0

Volts

3.9

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

350

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

3000

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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