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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A | 最大漏极电流 (ID)： | 22 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 463 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT23F60B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT23F60S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT23H50B | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT23H50S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT24F50B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24F50B_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24F50S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24M120B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT24M80B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT24M80S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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