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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 495 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.26 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 335 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT23H50S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT24F50B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24F50B_09 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24F50S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel FREDFET |
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| APT24M120B2 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT24M80B | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT24M80S | MICROSEMI |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| APT25GF100BN | MICROSEMI |
获取价格 |
25A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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| APT25GF120JCU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper di |
|
| APT25GLQ120JCU2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES |
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