APT23F60S

更新时间： 2024-09-25 06:37:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	299K
描述
N-Channel FREDFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT23F60S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	615 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT23F60S 数据手册

APT23F60B

APT23F60S

600V,ꢀ24A,ꢀ0.29ΩꢀMax,ꢀt ≤220ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

D³PAK

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

APT23F60B

APT23F60S

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

•ꢀ ZVSꢀphaseꢀshiftedꢀandꢀotherꢀfullꢀbridge

•ꢀꢀFastꢀswitchingꢀwithꢀlowꢀEMI

•ꢀꢀHalfꢀbridge

ꢀ •ꢀꢀLowꢀt ꢀforꢀhighꢀreliability

•ꢀꢀPFCꢀandꢀotherꢀboostꢀconverter

•ꢀ Buckꢀconverter

ꢀ •ꢀꢀUltraꢀlowꢀC ꢀforꢀimprovedꢀnoiseꢀimmunity

rss

ꢀ •ꢀꢀLowꢀgateꢀcharge

ꢀ •ꢀꢀAvalancheꢀenergyꢀrated

•ꢀꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀꢀSingleꢀandꢀtwoꢀswitchꢀforward

•ꢀꢀFlyback

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

±±0

615

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

415

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.±0

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

±00

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M± screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT23F60S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT23H50B	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT23H50S	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT24F50B	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT24F50B_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT24F50S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT24M120B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT24M80B	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT24M80S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT25GF100BN	MICROSEMI	获取价格	25A, 1000V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GF120JCU2	MICROSEMI	获取价格	ISOTOP® Boost chopper NPT IGBT SiC chopper di

与APT23F60S相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

4
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT23F60S

APT23F60S 技术参数

APT23F60S 数据手册

与APT23F60S相关器件

与APT23F60S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT23F60S

APT23F60S 技术参数

APT23F60S 数据手册

与APT23F60S相关器件

与APT23F60S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？