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APT20SCD120S

更新时间： 2024-09-25 21:06:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 68A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, D3PAK-3/2

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APT20SCD120S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.81其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：220 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：68 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：208 W
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：400 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

APT20SCD120S 数据手册

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APT20SCD120B  
APT20SCD120S  
1200V 20A  
Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode  
PRODUCT APPLICATIONS  
PRODUCT BENEFITS  
PRODUCT FEATURES  
• Higher Reliability Systems  
• Zero Recovery Times (t  
)
• Anti-Parallel Diode  
-Switchmode Power Supply  
-Inverters  
rr  
• Minimizes or eliminates  
snubber  
• Popular TO-247 Package or  
surface mount D3PAK package  
D3PAK  
• Power Factor Correction (PFC)  
1
• Low Forward Voltage  
• Low Leakage Current  
2
2
1
1 - Cathode  
2 - Anode  
Back of Case -Cathode  
MAXIMUM RATINGS  
T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol Characteristic / Test Conditions  
Ratings  
Unit  
Maximum D.C. Reverse Voltage  
VR  
VRRM  
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage  
1200  
Volts  
VRWM  
IF  
IFRM  
IFSM  
Maximum Working Peak Reverse Voltage  
Maximum D.C. Forward current  
TC = 25°C  
68  
20  
TC = 135°C  
Amps  
100  
220  
Repetitive Peak Forward Suge Current (TJ = 45°C, tp = 10ms, Half Sine Wave)  
Non-Repetitive Forward Surge Current (TJ = 25°C, tp = 10ms, Half Sine)  
TC = 25°C  
208  
66  
Ptot  
Power Dissipation  
TC = 110°C  
W
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature for 10 Seconds  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IF = 20A TJ = 25°C  
1.5  
2.2  
1.8  
VF  
Forward Voltage  
Volts  
IF = 20A, TJ = 150°C  
VR = 1200V TJ = 25°C  
VR = 1200V, TJ = 150°C  
400  
IRM  
Qc  
Maximum Reverse Leakage Current  
μA  
2000  
Total Capactive Charge VR = 800V, IF = 20A, di/dt = -100A/μs, TJ = 25°C  
Junction Capacitance VR = 0V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
66  
1135  
160  
100  
nC  
CT  
Junction Capacitance VR = 200V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
Junction Capacitance VR = 400V, TJ = 25°C, f = 1MHz  
pF  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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