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APT20SC120J

更新时间： 2024-09-25 20:45:55

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM)

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APT20SC120J 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ISOTOP
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.8 V
最大非重复峰值正向电流：	160 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	20 A
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

APT20SC120J 数据手册

SOT-227

APT20SC120J 1200V 20A

Discrete

APT20SC120J

SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIER DIODE

PRODUCT FEATURES

PRODUCT BENEFITS

PRODUCT APPLICATIONS

• Schottky Barrier

Majority Carrier Only

• Wide Energy Gap

• High Breakdown Electric

Field

• High Thermal Conductivity

• High Pulse Capability

• Positive Vf Temp Coefficient

• Low Forward Voltage

• No dv/dt Limitation

• Popular SOT-227 Package

• Switching Losses Nearly

Eliminated zero recovery^TM

• Greatly Reduced Turn On Loss

• Improved Overall Efficiency

• Enables Higher Freq. Operation

• Simplify Or Eliminate Snubber

Circuits

• High Temperature Operation

• Low Leakage Current

• Radiation Hardness

• High Power Density

• PFC And Forward Topologies

• Hard Or Soft Switched

Topologies

• High Frequency

High Performance

• Thermally Stable Paralleling

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT20SC120J

Symbol Characteristic / Test Conditions

UNIT

V_R

V_RRM

V_RWM

I_F(AV)

I_FRM

Maximum D.C. Reverse Voltage

Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage

Maximum Working Peak Reverse Voltage

Maximum Average Forward Current (T_C= 124°C, Duty Cycle = 0.5)

RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)

Non-Repetitive Forward Surge Current (T_J= 25°C, t_p= 10µs)

Power Dissipation (T_C= 25°C)

1200

Volts

Amps

I_FSM

160

Watts

°C

P_TOT

T_J,T_STG

T_L

273

Operating and StorageTemperature Range

-55 to 175

300

Lead Temperature for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

MIN

TYP

1.6

2.1

2.6

MAX

UNIT

I_F= 20A, T_J= 25°C

1.8

V_F

Forward Voltage

I_F= 40A, T_J= 25°C

Volts

I_F= 20A, T_J= 175°C

V_R= V_RRated, T_J= 25°C

V_R= V_RRated, T_J= 175°C

3.0

800

I_RM

Maximum Reverse Leakage Current

µA

4000

APT Website - http://www.advancedpower.com

zero recovery^TM, is a Trademark of CREE INC.

12 3

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与APT20SC120J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT20SC60K	ADPOW	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC
APT20SC60K	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode
APT20SCD120BHB	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 37A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
APT20SCD120S	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 68A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, D3PAK-3
APT21M100J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT21M100J_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT22-151M8-10-PF	TDK	获取价格	Data Line Filter, 1 Function(s), 8A,
APT22-151M8-1B-PF	TDK	获取价格	Data Line Filter, 1 Function(s), 8A,
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APT22-221M6-1B-PF	TDK	获取价格	Data Line Filter, 1 Function(s), 6A,

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