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APT20N60BC3G

更新时间： 2024-09-25 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

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APT20N60BC3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	20.7 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	62 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT20N60BC3G 数据手册

APT20N60BC3

APT20N60SC3

600V 20.7A 0.190

Ω

Super Junction MOSFET

D³PAK

TO-247

COOLMOS

Power Semiconductors

• Ultra low R_{DS ON}

(

)

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q_g

• Avalanche Energy Rated

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT17N80BC3_SC3

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

600

20.7

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±20

±30

208

Watts

W/°C

P_D

1.67

-55 to 150

260

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 480V, I_D= 20.7A, T_J= 125°C)

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Amps

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

690

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

600

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 13.1A)

0.16

0.05

0.19

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600V, V_GS= 0V, T_C= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_DSS

µA

250

±100

3.9

I_GSS

V_GS(th)

2.1

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

™

"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Infineon Technologies AG"

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT20N60BCF	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20N60BCFG	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20N60SC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT20N60SC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
APT20N60SCF	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20N60SCFG	ADPOW	获取价格	Super Junction FREDFET
APT20SC120J	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM)
APT20SC60K	ADPOW	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC
APT20SC60K	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode
APT20SCD120BHB	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 37A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

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