5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB10AN06A0
FDB10AN06A0 PDF预览

FDB10AN06A0

更新时间： 2024-11-13 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 259K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mз

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDB10AN06A0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263AB, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：429 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.0105 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB10AN06A0 数据手册

 浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDB10AN06A0的Datasheet PDF文件第7页 
July 2002  
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60V, 75A, 10.5mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 9.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 75A  
Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Low Qrr Body Diode  
Injection Systems  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82560  
D
S
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
(FLANGE)  
TO-263AB  
FDB SERIES  
TO-220AB  
FDP SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
60  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V) with RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
75  
A
ID  
54  
12  
A
A
Figure 4  
429  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
135  
PD  
Derate above 25oC  
0.9  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220, TO-263  
1.11  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB10AN06A0 / FDP10AN06A0 Rev. A  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

FDB10AN06A0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FDB10AN06A0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB110N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 92 A, 1
FDB110N15A ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，92A，11mΩ
FDB120N10 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，74A，12mΩ
FDB120N10 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 74A, 12mΩ
FDB12N50 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
FDB12N50F FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7ヘ
FDB12N50F_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7Ω
FDB12N50FTM_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB12N50FTM-WS ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，11.5 A，7
FDB12N50TM FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ

与FDB10AN06A0相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证