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FDB12N50UTM_WS

更新时间： 2024-11-15 21:20:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 594K
描述
N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V, 10A, 800mΩ, 2LD,TO263, SURFACE MOUNT, 800/TAPE REEL

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FDB12N50UTM_WS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：456 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：165 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB12N50UTM_WS 数据手册

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March 2008  
TM  
Ultra FRFET  
FDB12N50U  
tm  
N-Channel MOSFET, FRFET  
500V, 10A, 0.8Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 5A  
Low gate charge ( Typ. 21nC)  
Low Crss ( Typ. 11pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
D
G
G
D2-PAK  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
500  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±30  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
10  
ID  
Drain Current  
A
6
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
40  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
456  
10  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
16.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
165  
PD  
Power Dissipation  
1.33  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Ratings  
0.75  
Units  
RθJC  
RθJA  
oC/W  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB12N50U Rev. A2  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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