FCD5N60TF

更新时间： 2024-11-02 03:36:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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600V N-Channel MOSFET

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FCD5N60TF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	159 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A
最大漏极电流 (ID)：	4.6 A	最大漏源导通电阻：	0.95 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FCD5N60TF 数据手册

July 2006

SuperFET

FCD5N60 / FCU5N60

600V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

650V @T_J= 150°C

SuperFET^TMis, Farichild’s proprietary, new generation of high

voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge

balance mechanism for outstanding low on-resistance and

lower gate charge performance.

Typ. Rds(on)=0.81Ω

Ultra low gate charge (typ. Qg=16nC)

Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=32pF)

100% avalanche tested

This advanced technology has been tailored to minimize

conduction loss, provide superior switching performance, and

withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.

Consequently, SuperFET is very suitable for various AC/DC

power conversion in switching mode operation for system

miniaturization and higher efficiency.

D-PAK

FCD Series

G D S

I-PAK

FCU Series

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

FCD5N60 / FCU5N60

Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

Drain Current

600

I_D

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

4.6

2.9

(Note 1)

(Note 2)

I_DM

Drain Current

- Pulsed

13.8

± 30

2.9

4.6

5.4

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

(Note 1)

(Note 3)

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

Power Dissipation

(T_C= 25°C)

- Derate above 25°C

0.43

W/°C

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

300

°C

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

°C

*Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

FCD5N60/FCU5N60

Unit

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2.3

FCD5N60/FCU5N60 Rev. A0

www.fairchildsemi.com

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FCD5N60TM	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
FCD5N60TM	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，4.6
FCD5N60TM_WS	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FCD5N60TM-WS	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，4.6
FCD600N60Z	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FAST，600 V，7.4 A，
FCD600N65S3R0	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V
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FCD620N60ZF	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，600 V，7.3
FCD620N60ZFCT-ND	FAIRCHILD	获取价格	FCD620N60Z FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFE
FCD7N60	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET

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