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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FCD900N60Z | FAIRCHILD |
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FCD900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V |
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| FCD900N60Z | ONSEMI |
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N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600 V、4.5 A、900 mΩ |
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| FCD900N60ZCT-ND | FAIRCHILD |
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FCD900N60Z N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V |
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| FCD9N60N | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET |
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| FCD9N60NTM | FAIRCHILD |
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N-Channel MOSFET |
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| FCD9N60NTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，9 A，385 m |
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| FCDM082B0237/02.5 | IVO |
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Through Beam Photoelectric Sensor, 237.5mm Max, Rectangular, Panel Mount |
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| FCDM082B0477/02.5 | IVO |
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Through Beam Photoelectric Sensor, 477.5mm Max, Rectangular, Panel Mount |
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| FCDM082B0717/02.5 | IVO |
获取价格 |
Through Beam Photoelectric Sensor, 717.5mm Max, Rectangular, Panel Mount |
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| FCDM082B0957/02.5 | IVO |
获取价格 |
Through Beam Photoelectric Sensor, 957.5mm Max, Rectangular, Panel Mount |
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