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FCD7N60TM

更新时间： 2024-11-03 11:15:31

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
8页	1033K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，7 A，600 mΩ，DPAK

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FCD7N60TM 数据手册

FCD7N60

N 沟道 SuperFET MOSFET

600 V, 7 A, 600 mΩ

特性

说明

SuperFET^®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实

现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）

MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓

越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET

MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正 (PFC)、服务

器 / 电信电源、平板电视电源、 ATX 电源及工业电源应用。

•

650 V @ T_J=150°C

典型值 R_DS(on)= 530 mΩ

超低栅极电荷（典型值 Q_g= 23 nC)

低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.)= 60 pF)

100% 经过雪崩测试

符合 RoHS 标准

应用

•

LCD/LED 电视和显示器

照明

光伏逆变器

AC-DC 电源

D-PAK

MOSFET 最大额定值 TC =25°C 除非另有说明。

FCD7N60TM /

FCD7N60TM_WS

符号

V_DSS

参数

单位

600

漏极－源极电压

漏极电流

- 连续 (T_C=25°C)

- 连续 (T_C=100°C)

- 脉冲

I_D

4.4

I_DM

漏极电流

（说明 1）

V_GSS

E_AS

I_AR

±30

230

栅极－源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

（说明 2）

（说明 1）

（说明 3）

E_AR

dv/dt

8.3

V/ns

重复雪崩能量

二极管恢复 dv/dt 峰值

(T_C= 25°C)

P_D

功耗

0.67

W/°C

°C

- 降低至 25°C 以上

T_J, T_STG

T_L

工作和存储温度范围

-55 至 +150

300

°C

用于焊接的最大引线温度，距离外壳 1/8"，持续 5 秒

热性能

FCD7N60TM /

FCD7N60TM_WS

符号

参数

单位

R_θJC

R_θJA

1.5

结至外壳热阻最大值

结至环境热阻最大值

°C/W

Publication Order Number:

FCD7N60/D

December-2017, Rev. 3

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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