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FCD7N60TM-WS

更新时间: 2024-11-03 11:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1033K
描述
功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,7 A,600 mΩ,DPAK

FCD7N60TM-WS 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:0.72雪崩能效等级(Eas):230 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A
最大漏极电流 (ID):7 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FCD7N60TM-WS 数据手册

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FCD7N60  
®
N 沟道 SuperFET MOSFET  
600 V, 7 A, 600 mΩ  
特性  
说明  
SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实  
现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结 (SJ)  
MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓  
越的开关性能dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此SuperFET  
MOSFET 非常适合开关电源应用功率因数校正 (PFC)务  
/ 电信电源、平板电视电源、 ATX 电源及工业电源应用。  
650 V @ TJ=150°C  
典型值 RDS(on) = 530 mΩ  
超低栅极电荷 (典型值 Qg = 23 nC)  
低有效输出电容 (典型值 Coss(eff.)= 60 pF)  
100% 经过雪崩测试  
符合 RoHS 标准  
应用  
LCD/LED 电视和显示器  
照明  
光伏逆变器  
AC-DC 电源  
D
D
G
G
S
D-PAK  
S
MOSFET 最大额定值 TC =25°C 除非另有说明。  
FCD7N60TM /  
FCD7N60TM_WS  
符号  
VDSS  
参数  
单位  
600  
7
V
A
漏极-源极电压  
漏极电流  
- 连续 (TC=25°C)  
- 连续 (TC=100°C)  
- 脉冲  
ID  
4.4  
21  
IDM  
A
V
漏极电流  
(说明 1)  
VGSS  
EAS  
IAR  
±30  
230  
7
栅极-源极电压  
单脉冲雪崩能量  
雪崩电流  
mJ  
A
(说明 2)  
(说明 1)  
(说明 1)  
(说明 3)  
EAR  
dv/dt  
8.3  
20  
mJ  
V/ns  
W
重复雪崩能量  
二极管恢复 dv/dt 峰值  
(TC = 25°C)  
83  
PD  
功耗  
0.67  
W/°C  
°C  
- 降低至 25°C 以上  
TJ, TSTG  
TL  
工作和存储温度范围  
-55 +150  
300  
°C  
用于焊接的最大引线温度,距离外壳 1/8",持续 5 秒  
热性能  
FCD7N60TM /  
FCD7N60TM_WS  
符号  
参数  
单位  
RθJC  
RθJA  
1.5  
83  
结至外壳热阻最大值  
结至环境热阻最大值  
°C/W  
Publication Order Number:  
FCD7N60/D  
1
©2008 飞兆半导体公司  
December-2017, Rev. 3  

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