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EMB3FHAT2R

更新时间： 2024-11-30 19:59:23
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罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 1230K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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EMB3FHAT2R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-107C, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.73
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

EMB3FHAT2R 数据手册

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EMB3FHA / UMB3NFHA / IMB3AFRA  
Datasheet  
PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)  
AEC-Q101 Qualified  
lOutline  
EMT6  
UMT6  
Parameter  
VCEO  
Tr1 and Tr2  
-50V  
-100mA  
4.7kW  
(6)  
(5)  
(4)  
4)  
(1)  
(2)  
IC(MAX.)  
R1  
(3)  
EMB3FHA  
UMB3NFHA  
(SC-107C)  
SOT-353 (SC-88)  
SMT6  
(4)  
(5)  
lFeatures  
(6)  
1) Built-In Biasing Resistors.  
(3)  
(2)  
2) Two DTA143T chips in one package.  
3) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see inner circuit).  
(1)  
IMB3AFRA  
SOT-457 (SC-74)  
4) The bias resistors consist of thin-film resistors  
with complete isolation to allow negative biasing  
lInner circuit  
of the input. They also have the advantage of  
completely eliminating parasitic effects.  
5) Only the on/off conditions need to be set for  
operation, making the circuit design easy.  
6) Lead Free/RoHS Compliant.  
EMB3FHA / UMB3NFHA  
IMB3AFRA  
Collector  
(6)  
Base  
(5)  
Emitter  
(4)  
Collector  
(4)  
Base  
(5)  
Emitter  
(6)  
lApplication  
(1)  
(2)  
(3)  
(3)  
(2)  
(1)  
Emitter  
Base  
Collector  
Emitter  
Base  
Collector  
Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit  
lPackaging specifications  
Package  
size  
(mm)  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Taping  
code  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
Marking  
(mm)  
(mm)  
E
M
B
3
FHA  
EMT6  
UMT6  
SMT6  
1616  
2021  
2928  
T2R  
TR  
180  
180  
180  
8
8
8
8,000  
3,000  
3,000  
B3  
B3  
B3  
U
MB  
3
N
FHA  
IMB3AFRA  
T108  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2012.06 - Rev.C  
1/6  
1234567

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与EMB3FHAT2R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EMB3T2R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, EMT6, 6
EMB4 ROHM

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 		General purpose (dual digital transistors)
EMB4 HTSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor
EMB4 CJ

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