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EMB4T2R PDF预览

EMB4T2R

更新时间： 2024-11-18 21:20:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, EMT6, 6 PIN

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EMB4T2R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-107
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

EMB4T2R 数据手册

 浏览型号EMB4T2R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EMB4T2R的Datasheet PDF文件第3页 
EMB4 / UMB4N / IMB4A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMB4 / UMB4N / IMB4A  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeature  
1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMB4  
zEquivalent circuits  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
EMB4 / UMB4N  
IMB4A  
1.2  
1.6  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
R1  
R1  
R1  
R1  
ROHM : EMT6  
Each lead has same dimensions  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
UMB4N  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
EMB4  
EMT6  
B4  
UMB4N  
UMT6  
B4  
IMB4A  
SMT6  
B4  
1.25  
2.1  
Marking  
Code  
T2R  
TN  
T110  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
0.1Min.  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Each lead has same dimensions  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−50  
−50  
−5  
−100  
V
V
IMB4A  
V
I
C
mA  
∗1  
∗2  
EMB4 / UMB4N  
Power  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Pd  
mW  
dissipation  
IMB4A  
1.6  
2.8  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
0.3to0.6  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Each lead has same dimensions  
Rev.A  
1/2  
123

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EMB4T2R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDA114TH-7 DIODES

类似代替

 PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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