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杰力科技 - EXCELLIANCE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 883K | |
描述 | ||
SOT23-3 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EMB50P03JS | EXCELLIANCE |
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SOT23-3 | |
EMB50P03K | EXCELLIANCE |
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TSOT23-6 | |
EMB51 | ROHM |
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General purpose Dual digital transistor | |
EMB51_16 | ROHM |
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General purpose Dual digital transistor | |
EMB52 | ROHM |
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EMT6封装中内置2个DTA044E。 | |
EMB53 | ROHM |
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General purpose Dual digital transistor | |
EMB53_16 | ROHM |
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General purpose Dual digital transistor | |
EMB55N03J | EXCELLIANCE |
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SOT23-3 | |
EMB55N03JS | EXCELLIANCE |
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SOT23-3 | |
EMB59 | ROHM |
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Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |