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EMB3

更新时间： 2024-01-05 16:06:56

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体数字晶体管
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1页	348K
描述
DIGITAL TRANSISTOR (PNP+ PNP)

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EMB3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

EMB3 数据手册

EMB3

DIGITAL TRANSISTOR (PNP+ PNP)

SOT-563

FEATURES

Two DTA143T chips in a package

Transistor elements are independent, eliminating interference.

Mounting cost and area can be cut in half.

External circuit

MARKING: B3

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C

Limits

-50

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-50

-5

-100

150

℃

Collector Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

-55~150

℃

Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

-50

-5

I_C=-50μA

Collector-emitter breakdown voltage V_(BR)CEO

I_C=-1mA

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)EBO

I_CBO

I_EBO

V_CE(sat)

h_FE

I_E=-50μA

-0.5

-0.3

600

6.11

μA V_CB=-50V

μA V_EB=-4V

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

Input resistance

I_C=-5mA,I_B=-2.5mA

V_CE=-5V,I_C=-1mA

100

R₁

3.29

4.7

KΩ

Transition frequency

f_T

250

MHz

V_CE=10V ,I_E=-5mA,f=100MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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