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E5V0LUD4M

更新时间： 2024-11-21 14:54:35

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先科 - SWST		二极管
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3页	201K
描述
静电保护二极管

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E5V0LUD4M 数据手册

E5V0LUD4M

ESD Protection Diode

Features

• Low clamping voltage

• Low capacitance

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. VCC 6. I/O4

SOT-26 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

300

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

V_ESD

± 30

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

at Pin 5 to 2

Reverse Breakdown Voltage

at I_t= 1 mA, Pin 5 to 2

V_(BR)R

I_R

μA

Reverse Current

at V_RWM= 5 V, Pin 5 to 2

Forward Voltage

at I_F= 15 mA

V_F

1.2

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Ground

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Ground

at I_PP= 12 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Ground

12.5

17.5

V_C

C_j

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Any I/O Pin to Ground

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins

0.7

1 / 3

Dated: 15/05/2023 Rev: 03

12 3

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