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DF2S6.8CT

更新时间: 2024-11-05 21:06:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 233K
描述
DIODE 6.8 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, CST2, 1-1P1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

DF2S6.8CT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-XBCC-N2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.67
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-XBCC-N2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.15 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.88%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

DF2S6.8CT 数据手册

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DF2S6.8CT  
ESD保護用ダイオード シリコンエピタキシャルプレーナ形  
DF2S6.8CT  
1. 用途  
ESD保護用  
注意:本製品はESD保護用ダイオードであり, ESD保護用以外の用(定電圧ダイオード用途を含むがこれに限らない)  
には使用はできません。  
2. 外観と回路構成図  
1: カソード  
2: アノード  
CST2  
3. 絶対最大定() (特に指定のない限り, Ta = 25)  
項目  
記号  
定格  
単位  
静電気耐(IEC61000-4-2)(接触放電)  
VESD  
Tj  
±30  
150  
kV  
接合温度  
保存温度  
Tstg  
-55150  
: 本製品の使用条(使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負(高温および大電流/  
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブッ(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および  
個別信頼性情(信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。  
2013-08-06  
Rev.3.0  
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