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DF2S8.2ASL

更新时间： 2024-11-06 14:57:51

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东芝 - TOSHIBA		电视
页数	文件大小	规格书
9页	339K
描述
Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 6.5 V, SOD-962(SL2)

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DF2S8.2ASL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-N2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.73	最大击穿电压：	8.7 V
最小击穿电压：	7.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	最大非重复峰值反向功率耗散：	55 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
参考标准：	IEC-61000-4-2, 4-5	最大重复峰值反向电压：	6.5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DF2S8.2ASL 数据手册

DF2S8.2ASL

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

DF2S8.2ASL

1. Applications

•

ESD Protection

Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other

purpose, including, but not limited to, voltage regulation.

2. Packaging and Internal Circuit

1: Cathode

2: Anode

SL2

3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25)

Characteristics

Symbol

Note

Rating

Unit

Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact)

Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Air)

Peak pulse power(tp = 8/20 µs)

VESD

(Note 1)

±30

PPK

IPP

2.5

Peak pulse current(tp = 8/20 µs)

Junction temperature

(Note 2)

150



Storage temperature

Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: According to IEC61000-4-2.

Note 2: According to IEC61000-4-5.

Start of commercial production

2015-11

2015-12-22

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF2S8.2CT	TOSHIBA	获取价格	DIODE 8.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, CST2, 1
DF2S8.2CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),6.1%,SOD-882
DF2S8.2FS	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S8.2FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),6.1%,EMD2VAR
DF2S8.2FS,L3M(T	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, Silicon, Unidirectional
DF2S8.2S	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S8.2SC(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,8.2V V(Z),6%,SMT
DF2Z207V2030PJ	SAMWHA	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 360V, 20% +Tol, 10% -Tol, 200u
DF2Z257V18042PJ	SAMWHA	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 360V, 20% +Tol, 10% -Tol, 250u
DF2Z257V2036PJ	SAMWHA	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 360V, 20% +Tol, 10% -Tol, 250u

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