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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT2955LEADFREE
CZT2955LEADFREE PDF预览

CZT2955LEADFREE

更新时间： 2024-02-26 02:03:32
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT2955LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.11外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2.5 MHz
Base Number Matches：1

CZT2955LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT2955LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZT2955 PNP  
CZT3055 NPN  
Central  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955  
and CZT3055 types are surface mount epoxy  
molded complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial base process,  
designed for surface mounted power amplifier  
applications up to 6.0 amps.  
Semiconductor Corp.  
2.0W SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTOR  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
100  
70  
V
V
V
V
A
A
W
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
60  
7.0  
6.0  
3.0  
2.0  
I
C
Base Current  
I
B
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
700  
1.0  
5.0  
CEO  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
=100V, V =1.5V  
EB  
=7.0V  
BV  
BV  
* V  
* V  
I =30mA, R =100Ω  
BE  
70  
60  
CER  
CEO  
C
I =30mA  
V
C
I =4.0A, I =400mA  
1.1  
1.5  
70  
V
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
V
=4.0V, I =4.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
C
* h  
* h  
V
V
V
=4.0V, I =4.0A  
20  
5.0  
2.5  
C
=4.0V, I =6.0A  
FE  
C
f
=10V, I =500mA, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
* Pulsed, 2% D.C.  
R3 (17-June 2004)  
12

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CZT2955LEADFREE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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