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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT2955BKLEADFREE
CZT2955BKLEADFREE PDF预览

CZT2955BKLEADFREE

更新时间： 2024-01-31 06:52:54
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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CZT2955BKLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2.5 MHzVCEsat-Max：1.1 V
Base Number Matches：1

CZT2955BKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT2955BKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZT2955 PNP  
CZT3055 NPN  
Central  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2955  
and CZT3055 types are surface mount epoxy  
molded complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial base process,  
designed for surface mounted power amplifier  
applications up to 6.0 amps.  
Semiconductor Corp.  
2.0W SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTOR  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
100  
70  
V
V
V
V
A
A
W
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
60  
7.0  
6.0  
3.0  
2.0  
I
C
Base Current  
I
B
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
700  
1.0  
5.0  
CEO  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
=100V, V =1.5V  
EB  
=7.0V  
BV  
BV  
* V  
* V  
I =30mA, R =100Ω  
BE  
70  
60  
CER  
CEO  
C
I =30mA  
V
C
I =4.0A, I =400mA  
1.1  
1.5  
70  
V
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
V
=4.0V, I =4.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
C
* h  
* h  
V
V
V
=4.0V, I =4.0A  
20  
5.0  
2.5  
C
=4.0V, I =6.0A  
FE  
C
f
=10V, I =500mA, f=1.0MHz  
MHz  
T
C
* Pulsed, 2% D.C.  
R3 (17-June 2004)  
12

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CZT2955BKLEADFREE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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