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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT3019LEADFREE
CZT3019LEADFREE PDF预览

CZT3019LEADFREE

更新时间： 2024-01-30 14:44:38
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4

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CZT3019LEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CZT3019LEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT3019LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CZT3019  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT3019  
typeisanNPNsilicontransistormanufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded  
inasurfacemountpackage, designedforhigh  
currentgeneralpurposeamplifierapplications.  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
V
V
V
120  
80  
7.0  
1.0  
1.5  
2.0  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
10  
10  
UNITS  
I
I
V
V
=90V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
I =100µA  
120  
80  
7.0  
C
I =30mA  
C
I =100µA  
E
I =150mA, I =15mA  
0.2  
0.5  
1.1  
C
B
B
B
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
50  
90  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
C
h
h
h
=10V, I =150mA  
300  
C
=10V, I =500mA  
C
=10V, I =1.0A  
15  
FE  
C
306  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT3019TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
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