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CY7C130-45LMB

更新时间: 2024-09-15 20:26:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 889K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, CERAMIC, LCC-48

CY7C130-45LMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN, LCC48,.56SQ,40针数:48
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.43
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG; ARBITERI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CQCC-N48JESD-609代码:e0
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:48
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC48,.56SQ,40封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CY7C130-45LMB 数据手册

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