是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, DIP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.58 | 最长访问时间: | 45 ns |
其他特性: | INTERRUPT FLAG | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 61.976 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.334 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1304CV25 | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304CV25-100BZC | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304CV25-133BZC | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304CV25-167BZC | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304DV25 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata | |
CY7C1304DV25_06 | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304DV25-100BZC | CYPRESS |
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QDR SRAM, 512KX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
CY7C1304DV25-133BZC | CYPRESS |
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QDR SRAM, 512KX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 | |
CY7C1304DV25-167BZC | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar | |
CY7C1304DV25-167BZI | CYPRESS |
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9-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Ar |