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CY7C130-55DI

更新时间： 2024-09-15 20:26:43

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	889K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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CY7C130-55DI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.28	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C130-55DMB	CYPRESS	获取价格	1K x 8 Dual-Port Static Ram
CY7C130-55FMB	CYPRESS	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, QFP-48
CY7C130-55LC	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
CY7C130-55LMB	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
CY7C130-55PC	CYPRESS	获取价格	1K x 8 Dual-Port Static Ram
CY7C130-55PI	CYPRESS	获取价格	1K x 8 Dual-Port Static Ram
CY7C1305AV18	CYPRESS	获取价格	18-Mb Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Arc
CY7C1305AV18-100BZC	CYPRESS	获取价格	18-Mb Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Arc
CY7C1305AV18-133BZC	CYPRESS	获取价格	18-Mb Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Arc
CY7C1305AV18-167BZC	CYPRESS	获取价格	18-Mb Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR⑩ Arc