是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.48 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C109D-10ZXI | CYPRESS |
功能相似 |
1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C109BN-15ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 | |
CY7C109BN-20VC | ROCHESTER |
获取价格 |
128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
CY7C109BN-20VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C109BN-20VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
CY7C109BN-20VI | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C109BN-20VIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 | |
CY7C109BN-20ZC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C109BN-20ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
CY7C109BN-20ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM | |
CY7C109BN-20ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |