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CY62167DV30L-70BVI

更新时间： 2024-01-09 16:53:34

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	885K
描述
1MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48

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CY62167DV30L-70BVI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	9.5 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.000015 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62167DV30L-70ZI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-45ZXI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-45ZXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18.40 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-142, T
CY62167DV30LL-55BVI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-55BVXI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM
CY62167DV30LL-55BVXI	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY62167DV30LL-55BVXIT	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1 M Ã 16) Static RAM
CY62167DV30LL-55BVXIT	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY62167DV30LL-55ZI	CYPRESS	获取价格	16-Mbit (1M x 16) Static RAM