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CY62158DV30LL-55ZSXI

更新时间： 2024-09-16 20:32:35

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	1095K
描述
1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

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CY62158DV30LL-55ZSXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LEAD FREE, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3/e4	长度：	18.415 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62158DV30LL-55ZSXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
CY62158DV30LL-55ZXI	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM
CY62158DV30LL-70BVI	ROCHESTER	获取价格	1MX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CY62158DV30LL-70BVI	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM
CY62158DV30LL-70BVIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
CY62158DV30LL-70ZSXI	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM
CY62158DV30LL-70ZXI	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM
CY62158DVL-55BVI	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, BGA-48
CY62158E	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1 M x 8) Static RAM Automatic power down when deselected
CY62158E_09	CYPRESS	获取价格	8-Mbit (1M x 8) Static RAM