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Datasheet > 存储 > SRAM> CY62158ELL-45ZSXI
CY62158ELL-45ZSXI PDF预览

CY62158ELL-45ZSXI

更新时间： 2024-09-16 06:51:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 320K
描述
8-Mbit (1M x 8) Static RAM

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CY62158ELL-45ZSXI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.38Is Samacsys：N
最长访问时间：45 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e4
长度：18.415 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.194 mm
最大待机电流：0.000008 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY62158ELL-45ZSXI 数据手册

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CY62158E MoBL®  
8-Mbit (1M x 8) Static RAM  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption. Placing the device into standby mode reduces  
power consumption significantly when deselected (CE1 HIGH or  
CE2 LOW).  
Features  
■ Very high speed: 45 ns  
❐ Wide voltage range: 4.5V – 5.5V  
■ Ultra low active power  
❐ Typical active current:1.8 mA @ f = 1 MHz  
❐ Typical active current: 18 mA @ f = fmax  
To write to the device, take Chip Enables (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Write Enable (WE) input LOW. Data on the eight IO  
pins (IO0 through IO7) is then written into the location specified  
on the address pins (A0 through A19).  
■ Ultra low standby power  
❐ Typical standby current: 2 μA  
❐ Maximum standby current: 8 μA  
To read from the device, take Chip Enables (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and OE LOW while forcing the WE HIGH. Under these  
conditions, the contents of the memory location specified by the  
address pins appear on the IO pins.  
■ Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE features  
■ Automatic power down when deselected  
■ CMOS for optimum speed and power  
The eight input and output pins (IO0 through IO7) are placed in  
a high impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or a  
write operation is in progress (CE1 LOW and CE2 HIGH and WE  
LOW). See the Truth Table on page 8 for a complete description  
of read and write modes.  
■ Offered in Pb-free 44-Pin TSOP II package  
Functional Description  
The CY62158E MoBL® is a high performance CMOS static RAM  
organized as 1024K words by 8 bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
For best practice recommendations, refer to the Cypress  
application note AN1064, SRAM System Guidelines.  
Logic Block Diagram  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IO  
0
DATA IN DRIVERS  
IO  
1
IO  
2
1024K x 8  
ARRAY  
IO  
3
IO  
IO  
IO  
IO  
4
5
6
7
A
A
A
A
9
10  
11  
12  
CE  
CE  
1
2
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05684 Rev. *D  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised June 16, 2008  
[+] Feedback  
1234567...10

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CY62158ELL-45ZSXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14B108K-ZS25XI CYPRESS

类似代替

 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM with Real Time Clock
CY62158EV30LL-45ZSXI CYPRESS

类似代替

 8-Mbit (1024K x 8) Static RAM

与CY62158ELL-45ZSXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62158ELL-45ZSXIT INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY62158EV30 CYPRESS

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 		8-Mbit (1024K x 8) Static RAM
CY62158EV30_09 CYPRESS

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 		8-Mbit (1024K x 8) Static RAM
CY62158EV30_11 CYPRESS

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 		8-Mbit (1024 K x 8) Static RAM Automatic power down when deselected
CY62158EV30LL-45BVXI CYPRESS

获取价格

 		8-Mbit (1024K x 8) Static RAM
CY62158EV30LL-45BVXI INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62158EV30LL-45BVXIT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 1MX8, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
CY62158EV30LL-45BVXIT INFINEON

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 		Asynchronous SRAM
CY62158EV30LL-45ZSXI CYPRESS

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 		8-Mbit (1024K x 8) Static RAM
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